Hoppa till innehåll

På den här sidan

Avhandlingar · Engelska

Investigation of deep levels in bulk GaN

Tillgänglighet utifrån medietyp

ämne
Halvledare, Gallium nitride
Annat bärarformat
Investigation of deep levels in bulk GaN · ISBN 9789175191690 (print) · 17176631 (Även utgiven tryckt)

Sammanfattning

This thesis is focused on electrical characterization of defects in bulk GaN grown by halide vapor phase epitaxy (HVPE) by using deep level transient spectroscopy.

Detaljer

Medverkan och funktion
Tran Thien Duc (Författare)
Anmärkning om akademisk avhandling
Lic.-avh. (sammanfattning) Linköping : Linköpings universitet, 2014
Indirekt identifierad av
ISBN 9789175191690 · print
har titel
Investigation of deep levels in bulk GaN
upphovsuppgift
Tran Thien Duc
omfång
v, 52 s.
anmärkning
  • Härtill 3 uppsatser
Övriga fysiska detaljer
ill.
Annat bärarformat
Investigation of deep levels in bulk GaN · ISBN 9789175191690 (print) · 17176631 (Även utgiven tryckt)
kontrollnummer
17200310