Selectable phase formation in VAlN thin films by controlling Al+ subplantation depth [Elektronisk resurs]
-
Greczynski, Grzegorz (författare)
-
Mraz, S. (författare)
-
Hultman, Lars (författare)
-
Schneider, J. M. (författare)
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
-
Linköpings universitet Tekniska fakulteten (utgivare)
- NATURE PUBLISHING GROUP 2017
- Engelska.
-
Ingår i: Scientific Reports. - 2045-2322. ; 7
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
Sammanfattning
Ämnesord
Stäng
- We report on a thin film synthesis technique which allows for unprecedented control over the crystalline phase formation in metastable transition metal nitride based layers. For the model material system of V0.26Al0.74N, a complete transition from hexagonal to supersaturated cubic structure is achieved by tuning the incident energy, hence subplantation depth, of Al+ metal ions during reactive hybrid high power impulse magnetron sputtering of Al target and direct current magnetron sputtering of V target in Ar/N-2 gas mixture. These findings enable the phase selective synthesis of novel metastable materials that combine excellent mechanical properties, thermal stability, and oxidation resistance.
Ämnesord
- Natural Sciences (hsv)
- Chemical Sciences (hsv)
- Materials Chemistry (hsv)
- Naturvetenskap (hsv)
- Kemi (hsv)
- Materialkemi (hsv)
Inställningar
Hjälp
Beståndsinformation saknas