Electronic-grade GaN(0001)/Al 2 O 3 (0001) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target [Elektronisk resurs]
-
Junaid, Muhammad (författare)
-
Hsiao, Ching-Lien (författare)
-
Palisaitis, Justinas (författare)
-
Jensen, Jens (författare)
-
Persson, Per (författare)
-
Hultman, Lars (författare)
-
Birch, Jens (författare)
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
-
- Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
-
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
-
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
-
Alternativt namn: LiTH
-
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
-
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
- American Institute of Physics 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - 0003-6951. ; 98:14, 141915
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
Sammanfattning
Ämnesord
Stäng
- Electronic-grade GaN (0001) epilayers have been grown directly on Al2O3 (0001) substrates by reactive DC-magnetron sputter epitaxy (MSE) from a liquid Ga sputtering target in an Ar/N2 atmosphere. The as-grown GaN epitaxial film exhibit low threading dislocation density on the order of ≤ 10 10 cm-2 obtained by transmission electron microscopy and modified Williamson-Hall plot. X-ray rocking curve shows narrow fullwidth at half maximum (FWHM) of 1054 arcsec of the 0002 reflection. A sharp 4 K photoluminescence peak at 3.474 eV with a FWHM of 6.3 meV is attributed to intrinsic GaN band edge emission. The high structural and optical qualities indicate that MSEgrown GaN epilayers can be used for fabricating high-performance devices without the need of any buffer layer.
Ämnesord
- Natural Sciences (hsv)
- Naturvetenskap (hsv)
- NATURAL SCIENCES (svep)
- NATURVETENSKAP (svep)
Indexterm och SAB-rubrik
- GaN
- DC-MSE
- Sputtering
- ERDA
- TEM
- XRD
- PL
Inställningar
Hjälp
Beståndsinformation saknas