Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22116243 > Single-monolayer Si...

Single-monolayer SiN x embedded in TiN [Elektronisk resurs] A first-principles study

Marten, Tobias (författare)
Isaev, Eyvas (författare)
Alling, Björn (författare)
Hultman, Lars (författare)
Abrikosov, Igor (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
American Physical Society 2010
Engelska.
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121. ; 81:21, 212102
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • The dynamical and thermodynamic stability of a single monolayer of SiNx sandwiched isostructurally between B1-TiN(001) and (111) oriented slabs are investigated by means of density functional theory. Possible dynamical stabilization of the (001) interface, by distortion of the Si-N bonds, is considered and found to almost, but not completely, remove the phonon instabilities. The (111) interface on the other hand is found to be dynamically stable. We furthermore relax the stoichiometry degree of freedom by allowing for Si vacancies in the lattice and show that the ideal 1:1 SiN stoichiometry in both interfaces are thermodynamically unstable with respect to Si vacancy formation regardless if the system is grown under nitrogen-rich or nitrogen-poor conditions, and therefore ruling out its relevance for performance of real materials. 

Ämnesord

Engineering and Technology  (hsv)
Teknik och teknologier  (hsv)
TECHNOLOGY  (svep)
TEKNIKVETENSKAP  (svep)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy