Study of planar defect filtering in InP grown on Si by epitaxial lateral overgrowth [Elektronisk resurs]

Junesand, Carl (författare)

Kataria, Himanshu (författare)

Metaferia, Wondwosen (författare)

Julian, Nick (författare)

Wang, Zhechao (författare)

Sun, Yan-Ting (författare)

Bowers, John (författare)

Pozina, Galia (författare)

Hultman, Lars (författare)

Lourdudoss, Sebastian (författare)

Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)

Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)

Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)

Alternativt namn: IFM

Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry

Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology

Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)

Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten

Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola

Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet

Alternativt namn: LiTH

Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology

Sammanfattning Ämnesord

Stäng

InP thin films have been grown on InP/Si substrate by epitaxial lateral overgrowth (ELOG). The nature, origin and filtering of extended defects in ELOG layers grown from single and double openings in SiO 2 mask have been investigated. Whereas ELOG layers grown from double openings occasionally exhibit threading dislocations (TDs) at certain points of coalescence, TDs are completely absent in ELOG from single openings. Furthermore, stacking faults (SFs) observed in ELOG layers grown from both opening types originate not from coalescence, but possibly from formation during early stages of ELOG or simply propagate from the seed layer through the mask openings. A model describing their propagation is devised and applied to the existent conditions, showing that SFs can effectively be filtered under certain conditions. ELOG layers grown from identical patterns on InP substrate contained no defects, indicating that the defect-forming mechanism is in any case not inherent to ELOG itself.

Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Fler titlar av: Junesand, Carl; Kataria, Himanshu; Metaferia, Wondwosen; Julian, Nick; Wang, Zhechao; Sun, Yan-Ting; visa fler...; Bowers, John; Pozina, Galia; Hultman, Lars; Lourdudoss, Sebastia ...; Linköpings universit ...; Linköpings universit ...; visa färre...
Fler titlar om: Engineering and Tech ...; Teknik och teknologi ...; TECHNOLOGY; TEKNIKVETENSKAP
Värdpublikation: Optical Materials Ex ...; Fler artiklar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.