Nanoprobe Mechanical and Piezoelectric Characterization of Sc x Al 1-x N(0001) Thin Films [Elektronisk resurs]
-
Zukauskaite, Agne (författare)
-
Broitman, Esteban (författare)
-
Sandström, Per (författare)
-
Hultman, Lars (författare)
-
Birch, Jens (författare)
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
-
- Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
-
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
-
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
-
Alternativt namn: LiTH
-
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
-
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
- John Wiley & Sons 2015
- Engelska.
-
Ingår i: Physica Status Solidi (a) applications and materials science. - 1862-6300. ; 212:3, 666-673
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
Sammanfattning
Ämnesord
Stäng
- Nanoindentation with in-situ electrical characterization was used to characterize piezoelectric scandium aluminum nitride (Sc x Al 1-x N) thin films with Sc contents up to x=0.3. The films were prepared by reactive magnetron sputtering using Al 2 O3 substrates with TiN seed layer/bottom electrodes at a substrate temperature of 400 °C. X-ray diffraction shows c-axis oriented wurtzite Sc x Al 1-x N, where the crystal quality decreases with increasing x. Piezoresponse force microscopy in mapping mode shows a single piezoelectric polarization phase in all samples. The hardness and decreases from 17 GPa in AlN to 11 GPa in Sc0.3Al0.7N, while reduced elastic modulus decreases from 265 GPa to 224 GPa, respectively. Both direct and converse piezoelectric measurements are demonstrated by first applying the load and generating the voltage and later by applying the voltage and measuring film displacement using a conductive boron doped nanoindenter tip. The Sc0.2Al0.8N films exhibit an increase in generated voltage by 15% in comparison to AlN and a correspondingly larger displacement upon applied voltage, comparable to results obtained by double beam interferometry and piezoresponse force microscopy.
Ämnesord
- Natural Sciences (hsv)
- Physical Sciences (hsv)
- Naturvetenskap (hsv)
- Fysik (hsv)
- NATURAL SCIENCES (svep)
- Physics (svep)
- NATURVETENSKAP (svep)
- Fysik (svep)
Inställningar
Hjälp
Beståndsinformation saknas