Single-monolayer SiN x embedded in TiN [Elektronisk resurs] A first-principles study
-
Marten, Tobias (författare)
-
Isaev, Eyvas (författare)
-
Alling, Björn (författare)
-
Hultman, Lars (författare)
-
Abrikosov, Igor (författare)
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
-
- Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
-
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
-
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
-
Alternativt namn: LiTH
-
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
-
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
- American Physical Society 2010
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121. ; 81:21, 212102
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
Sammanfattning
Ämnesord
Stäng
- The dynamical and thermodynamic stability of a single monolayer of SiNx sandwiched isostructurally between B1-TiN(001) and (111) oriented slabs are investigated by means of density functional theory. Possible dynamical stabilization of the (001) interface, by distortion of the Si-N bonds, is considered and found to almost, but not completely, remove the phonon instabilities. The (111) interface on the other hand is found to be dynamically stable. We furthermore relax the stoichiometry degree of freedom by allowing for Si vacancies in the lattice and show that the ideal 1:1 SiN stoichiometry in both interfaces are thermodynamically unstable with respect to Si vacancy formation regardless if the system is grown under nitrogen-rich or nitrogen-poor conditions, and therefore ruling out its relevance for performance of real materials.
Ämnesord
- Engineering and Technology (hsv)
- Teknik och teknologier (hsv)
- TECHNOLOGY (svep)
- TEKNIKVETENSKAP (svep)
Inställningar
Hjälp
Beståndsinformation saknas