Electronic structure and chemical bonding anisotropy investigation of wurtzite AlN [Elektronisk resurs]
-
Magnuson, Martin (författare)
-
Mattesini, M. (författare)
-
Höglund, Carina (författare)
-
Birch, Jens (författare)
-
Hultman, Lars (författare)
-
- Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi
(tidigare namn)
-
Alternativt namn: IFM
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
-
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
-
- Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
-
-
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
-
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
-
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
-
Alternativt namn: LiTH
-
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
-
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
- 2009
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121. ; 80, 155105
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
-
Läs hela texten
Sammanfattning
Ämnesord
Stäng
- The electronic structure and the anisotropy of the Al - N p and s chemical bonding of wurtzite AlN has been investigated by bulk-sensitive total fluorescence yield absorption and soft x-ray emission spectroscopies. The measured N K, Al L1, and Al L2,3 x-ray emission and N 1s x-ray absorption spectra are compared with calculated spectra using first principles density-functional theory including dipole transition matrix elements. The main N 2p - Al 3p hybridization regions are identified at -1.0 to -1.8 eV and -5.0 to -5.5 eV below the top of the valence band. In addition, N 2s - Al 3p and N 2s - Al 3s hybridization regions are found at the bottom of the valence band around -13.5 eV and -15 eV, respectively. A strongly modified spectral shape of Al 3s states in the Al L2,3 emission from AlN in comparison to Al metal is found, which is also reflected in the N 2p - Al 3p hybridization observed in the Al L1 emission. The differences between the electronic structure and chemical bonding of AlN and Al metal are discussed in relation to the position of the hybridization regions and the valence band edge influencing the magnitude of the large band gap.
Ämnesord
- Natural Sciences (hsv)
- Naturvetenskap (hsv)
- NATURAL SCIENCES (svep)
- NATURVETENSKAP (svep)
Inställningar
Hjälp
Beståndsinformation saknas