Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:t2nrdzfxrthvqs4q > Enhanced Ti0.84Ta0....

Enhanced Ti0.84Ta0.16N diffusion barriers, grown by a hybrid sputtering technique with no substrate heating, between Si(001) wafers and Cu overlayers [Elektronisk resurs]

Mühlbacher, Marlene (författare)
Greczynski, Grzegorz (författare)
Sartory, Bernhard (författare)
Schalk, Nina (författare)
Lu, Jun (författare)
Petrov, Ivan (författare)
Greene, Joseph E (författare)
Hultman, Lars (författare)
Mitterer, Christian (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Linköpings universitet Tekniska fakulteten (utgivare)
Publicerad: NATURE PUBLISHING GROUP, 2018
Engelska.
Ingår i: Scientific Reports. - 2045-2322. ; 8
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • We compare the performance of conventional DC magnetron sputter-deposited (DCMS) TiN diffusion barriers between Cu overlayers and Si(001) substrates with Ti0.84Ta0.16N barriers grown by hybrid DCMS/high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) with substrate bias synchronized to the metal-rich portion of each pulse. DCMS power is applied to a Ti target, and HiPIMS applied to Ta. No external substrate heating is used in either the DCMS or hybrid DCMS/HiPIMS process in order to meet future industrial thermal-budget requirements. Barrier efficiency in inhibiting Cu diffusion into Si(001) while annealing for 1 hour at temperatures between 700 and 900 degrees C is investigated using scanning electron microscopy, X-ray diffraction, four-point-probe sheet resistance measurements, transmission electron microscopy, and energy-dispersive X-ray spectroscopy profiling. Ti0.84Ta0.16N barriers are shown to prevent large-scale Cu diffusion at temperatures up to 900 degrees C, while conventional TiN barriers fail at amp;lt;= 700 degrees C. The improved performance of the Ti0.84Ta0.16N barrier is due to film densification resulting from HiPIMS pulsed irradiation of the growing film with synchronized Ta ions. The heavy ion bombardment dynamically enhances near-surface atomic mixing during barrier-layer deposition. 

Ämnesord

Natural Sciences  (hsv)
Chemical Sciences  (hsv)
Materials Chemistry  (hsv)
Naturvetenskap  (hsv)
Kemi  (hsv)
Materialkemi  (hsv)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy