Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22547656 > Effects of N 2 Part...

Effects of N 2 Partial Pressure on Growth, Structure, and Optical Properties of GaN Nanorods Deposited by Liquid-Target Reactive Magnetron Sputter Epitaxy [Elektronisk resurs]

Muhammad, Junaid (författare)
Hsiao, Ching-Lien (författare)
Chen, Yen-Ting (författare)
Lu, Jun 1962- (författare)
Palisaitis, Justinas (författare)
Persson, Per 1971- (författare)
Hultman, Lars (författare)
Birch, Jens (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Linköpings universitet Tekniska fakulteten (utgivare)
Basel, Switzerland MDPI 2018
Engelska.
Ingår i: ; 8:4
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • GaN nanorods, essentially free from crystal defects and exhibiting very sharp band-edge luminescence, have been grown by reactive direct-current magnetron sputter epitaxy onto Si (111) substrates at a low working pressure of 5 mTorr. Upon diluting the reactive N 2 working gas with a small amount of Ar (0.5 mTorr), we observed an increase in the nanorod aspect ratio from 8 to ~35, a decrease in the average diameter from 74 to 35 nm, and a two-fold increase in nanorod density. With further dilution (Ar = 2.5 mTorr), the aspect ratio decreased to 14, while the diameter increased to 60 nm and the nanorod density increased to a maximum of 2.4 × 10 9 cm −2 . Yet, lower N 2 partial pressures eventually led to the growth of continuous GaN films. The observed morphological dependence on N 2 partial pressure is explained by a change from N-rich to Ga-rich growth conditions, combined with reduced GaN-poisoning of the Ga-target as the N 2 gas pressure is reduced. Nanorods grown at 2.5 mTorr N 2 partial pressure exhibited a high intensity 4 K photoluminescence neutral donor bound exciton transitions (D 0 X A ) peak at ~3.479 eV with a full-width-at-half-maximum of 1.7 meV. High-resolution transmission electron microscopy corroborated the excellent crystalline quality of the nanorods. 

Ämnesord

Natural Sciences  (hsv)
Physical Sciences  (hsv)
Condensed Matter Physics  (hsv)
Naturvetenskap  (hsv)
Fysik  (hsv)
Den kondenserade materiens fysik  (hsv)
Engineering and Technology  (hsv)
Nano Technology  (hsv)
Teknik och teknologier  (hsv)
Nanoteknik  (hsv)

Indexterm och SAB-rubrik

GaN
nanorods
X-ray diffraction
TEM
photoluminescence
magnetron sputter epitaxy
sputtering
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy