Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22143586 > Bonding mechanism i...

Bonding mechanism in the nitrides Ti 2 AlN and TiN: An experimental and theoretical investigation [Elektronisk resurs]

Magnuson, Martin (författare)
Mattesini, M. (författare)
Li, S. (författare)
Höglund, Carina (författare)
Hultman, Lars (författare)
Eriksson, O. (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
2007
Engelska.
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121. ; 76:195127
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Theelectronic structure of nanolaminate Ti 2 AlN and TiN thin films hasbeen investigated by bulk-sensitive soft x-ray emission spectroscopy. The measuredTi L 2,3 , N K , Al L 1 , and Al L 2,3 emissionspectra are compared with calculated spectra using ab initio density-functionaltheory including dipole transition-matrix elements. Three different types of bondregions are identified; a relatively weak Ti  3 d -Al  3 p bonding between −1and −2  eV below the Fermi level, and Ti  3 d -N  2 p and Ti  3 d -N  2 s bondings which are deeper in energy observed at −4.8  eV and−15  eV below the Fermi level, respectively. A strongly modified spectralshape of 3 s states of Al L 2,3 emission from Ti 2 AlNin comparison with pure Al metal is found, which reflectsthe Ti  3 d -Al  3 p hybridization observed in the Al L 1 emission. Thedifferences between the electronic and crystal structures of Ti 2 AlN andTiN are discussed in relation to the intercalated Al layersof the former compound and the change of the materialsproperties in comparison with the isostructural carbides. 

Ämnesord

Natural Sciences  (hsv)
Naturvetenskap  (hsv)
NATURAL SCIENCES  (svep)
NATURVETENSKAP  (svep)

Indexterm och SAB-rubrik

ab initio calculations
bonds (chemical)
crystal structure
density functional theory
electronic structure
Fermi level
nanostructured materials
thin films
titanium compounds
X-ray emission spectra
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy