Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22116500 > Epitaxial growth an...

Epitaxial growth and electrical-transport properties of Ti(7)Si(2)C(5) thin films synthesized by reactive sputter-deposition [Elektronisk resurs]

Scabarozi, T H (författare)
Hettinger, J D (författare)
Lofland, S E (författare)
Lu, Jun (författare)
Hultman, Lars (författare)
Jensen, Jens (författare)
Eklund, Per (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Elsevier 2011
Engelska.
Ingår i: Scripta Materialia. - 1359-6462. ; 65:9, 811-814
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Epitaxial predominantly phase-pure Ti(7)Si(2)C(5) thin films were grown onto Al(2)O(3)(0 0 0 1) by reactive magnetron sputtering. The c-axis lattice constant is similar to 60.2 angstrom; the Ti(7)Si(2)C(5) unit cell comprises alternating Ti(3)SiC(2)-like and Ti(4)SiC(3)-like half-unit-cell stacking repeated three times. Elastic recoil detection analysis showed a few percent of nitrogen in the films from the acetylene gas used. The nitrogen-induced stabilization mechanism for Ti(7)Si(2)C(5) relative to Ti(3)SiC(2) and Ti(4)SiC(3) is discussed. Electrical-transport measurements showed metallic temperature dependence and a room-temperature resistivity of similar to 45 mu Omega cm. 

Ämnesord

Engineering and Technology  (hsv)
Teknik och teknologier  (hsv)
TECHNOLOGY  (svep)
TEKNIKVETENSKAP  (svep)

Indexterm och SAB-rubrik

Ti(3)SiC(2)
Sputtering
Transmission electron microscopy (TEM)
Electrical resistivity/conductivity
X-ray diffraction (XRD)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy