Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22116318 > Sputter deposition ...

Sputter deposition from a Ti 2 AlC target: Process characterization and conditions for growth of Ti 2 AlC [Elektronisk resurs]

Frodelius, Jenny (författare)
Eklund, Per (författare)
Beckers, Manfred (författare)
Persson, Per (författare)
Högberg, Hans (författare)
Hultman, Lars (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Elsevier 2010
Engelska.
Ingår i: Thin Solid Films. - 0040-6090. ; 518:6, 1621-1626
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Sputter deposition from a Ti2AlC target was found to yield Ti-Al-C films with a composition that deviates from the target composition of 2:1:1. For increasing substrate temperature from ambient to 1000 degrees C, the Al content decreased from 22 at.% to 5 at.%, due to re-evaporation. The C content in as-deposited films was equal to or higher than the Ti content. Mass spectrometry of the plasma revealed that the Ti and Al species were essentially thermalized, while a large fraction of C with energies andgt;4 eV was detected. Co-sputtering with Ti yielded a film stoichiometry of 2:0.8:0.9 for Ti:Al:C, which enabled growth of Ti2AlC. These results indicate that an additional Ti flux balances the excess C and therefore provides for more stoichiometric Ti2AlC synthesis conditions. 

Ämnesord

Engineering and Technology  (hsv)
Teknik och teknologier  (hsv)
TECHNOLOGY  (svep)
TEKNIKVETENSKAP  (svep)

Indexterm och SAB-rubrik

MAX phase
Titanium carbide
Compound target
Physical vapor deposition
X-ray diffraction
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy