Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22116297 > Ti 2 Al(O,N) format...

Ti 2 Al(O,N) formation by solid state reaction between substoichiometric TiN thin films and Al 2 O 3 (0001) substrates [Elektronisk resurs]

Persson, P. O. Å. (författare)
Höglund, Carina (författare)
Birch, Jens (författare)
Hultman, Lars (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Elsevier 2011
Engelska.
Ingår i: Thin Solid Films. - 0040-6090. ; 519:8, 2421-2425
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Titanium nitride TiNx (0.1 ≤ x ≤ 1) thin films were deposited onto Al 2 O 3 (0001) substrates using reactive magnetron sputtering at substrate temperatures (Ts) ranging from 800 ºC to 1000 ºC and N 2 partial pressures (pN 2 ) between 0.1 and 1.0 mTorr. It is found that Al and O from the substrates diffuse into the substoichiometric TiN x films during deposition. Solid state reactions between the film and substrate result in the formation of Ti2O and Ti 3 Al domains at low N 2 partial pressures, while for increasing pN 2 , the Ti 2 AlN MAX phase nucleates and grows together with TiN x . Depositions at increasingly stoichiometric conditions result in a decreasing incorporation of the substrate species into the growing film. Eventually, a stoichiometric deposition gives a stable TiN(111) || Al 2 O 3 (0001) structure without the incorporation of substrate species. Growth at T s 1000 ºC yields Ti 2 AlN(0001), leading to a reduced incorporation of substrate species compared to films grown at 900 ºC, but contains also Ti 2 AlN(101ɸ3) grains. Finally, the Ti 2 AlN domains incorporate O, likely on the N site, such that a MAX phase oxynitride Ti2Al(O,N) is formed. The results were obtained by a combination of structural methods, including X-ray diffraction (XRD) and (scanning) transmission electron microscopy ((S)TEM), together with spectroscopy methods, which comprise elastic recoil detection analysis (ERDA), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX), and electron energy loss spectroscopy (EELS). 

Ämnesord

Natural Sciences  (hsv)
Naturvetenskap  (hsv)
NATURAL SCIENCES  (svep)
NATURVETENSKAP  (svep)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy