Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22115946 > ZrB 2 thin films gr...

ZrB 2 thin films grown by high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) from a compound target [Elektronisk resurs]

Samuelsson, Mattias (författare)
Jensen, Jens (författare)
Helmersson, Ulf (författare)
Hultman, Lars (författare)
Högberg, Hans (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Elsevier 2012
Engelska.
Ingår i: Thin Solid Films. - 0040-6090. ; 526, 163-167
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • ZrB 2 thin films were grown on Si by high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) from a compound target in an industrial deposition system. By keeping a constant average power while modifying the HiPIMS pulse repetition frequency, the pulse peak current and thereby the degree of ionisation was varied. The films were characterised using X-ray diffraction techniques, scanning electron microscopy, time-of-flight elastic recoil detection analysis, and four-point probe measurements. It was found that the composition of the films matched closely that of the target material, and the films were low in contamination. The films were crystalline with a strong (000n) preferred orientation, and that the residual stress could be adjusted, from tensile to compressive, by increasing the degree of ionisation. The film morphology appeared dense, with a smooth surface, and the resistivity was found to range from 180 to 250 μΩcm with no clear dependence on frequency in the investigated parameter range. 

Ämnesord

Natural Sciences  (hsv)
Naturvetenskap  (hsv)
Engineering and Technology  (hsv)
Teknik och teknologier  (hsv)
TECHNOLOGY  (svep)
TEKNIKVETENSKAP  (svep)

Indexterm och SAB-rubrik

Zirconium diboride
Thin films
High power impulse magnetron sputtering
High power pulsed magnetron sputtering
Compound target
Industrial scale deposition system
Crystalline films
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy