Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22109300 > Ohmic contact prope...

Ohmic contact properties of magnetron sputtered Ti 3 SiC 2 on n- and p-type 4H-silicon carbide [Elektronisk resurs]

Buchholt, Kristina (författare)
Ghandi, R (författare)
Domeij, M (författare)
Zetterling, C-M (författare)
Lu, Jun (författare)
Eklund, Per (författare)
Hultman, Lars (författare)
Lloyd Spetz, Anita (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
American Institute of Physics 2011
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - 0003-6951. ; 98:4, 042108
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Epitaxial Ti3SiC2 (0001) thin film contacts were grown on doped 4H-SiC (0001) using magnetron sputtering in an ultra high vacuum system. The specific contact resistance was investigated using linear transmission line measurements. Rapid thermal annealing at 950 degrees C for 1 min of as-deposited films yielded ohmic contacts to n-type SiC with contact resistances in the order of 10(-4) Omega cm(2). Transmission electron microscopy shows that the interface between Ti3SiC2 and n-type SiC is atomically sharp with evidence of interfacial ordering after annealing. 

Ämnesord

Engineering and Technology  (hsv)
Teknik och teknologier  (hsv)
TECHNOLOGY  (svep)
TEKNIKVETENSKAP  (svep)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy