Sök i LIBRIS databas



Sökning: onr:22109169 > Density functional ...

Density functional investigation of rhombohedral stacks of graphene: Topological surface states, nonlinear dielectric response, and bulk limit [Elektronisk resurs]

Xiao, Ruijuan (författare)
Tasnadi, Ferenc (författare)
Koepernik, K (författare)
Venderbos, J W F (författare)
Richter, M (författare)
Taut, M (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
American Physical Society 2011
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121. ; 84:16, 165404
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
  • A comprehensive density-functional theory (DFT)-based investigation of rhombohedral (ABC)-type graphene stacks with finite and infinite layer numbers and zero or finite static electric fields applied perpendicular to the surface is presented. Electronic band structures and field-induced charge densities are critically compared with related literature data including tight-binding and DFT approaches as well as with our own results on (AB) stacks. It is found that the undoped AB bilayer has a tiny Fermi line consisting of one electron pocket around the K point and one hole pocket on the line K-Gamma. In contrast to (AB) stacks, the breaking of translational symmetry by the surface of finite (ABC) stacks produces a gap in the bulklike states for slabs up to a yet unknown critical thickness N(semimet) andgt;andgt; 10, while ideal (ABC) bulk (beta graphite) is a semimetal. Unlike in (AB) stacks, the ground state of (ABC) stacks is shown to be topologically nontrivial in the absence of an external electric field. Consequently, surface states crossing the Fermi level must unavoidably exist in the case of (ABC)-type stacking, which is not the case in (AB)-type stacks. These surface states in conjunction with the mentioned gap in the bulklike states have two major implications. First, electronic transport parallel to the slab is confined to a surface region up to the critical layer number N(semimet). Related implications are expected for stacking domain walls and grain boundaries. Second, the electronic properties of (ABC) stacks are highly tunable by an external electric field. In particular, the dielectric response is found to be strongly nonlinear and can, e. g., be used to discriminate slabs with different layer numbers. Thus, (ABC) stacks rather than (AB) stacks with more than two layers should be of potential interest for applications relying on the tunability by an electric field. 


Engineering and Technology  (hsv)
Teknik och teknologier  (hsv)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Fel i posten?
Teknik och format
Sök utifrån
LIBRIS söktjänster

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy