Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22097071 > Phase-stabilization...

Phase-stabilization and substrate effects on nucleation and growth of (Ti,V)(n+1)GeC(n) thin films [Elektronisk resurs]

Kerdsongpanya, Sit (författare)
Buchholt, Kristina (författare)
Tengstrand, Olof (författare)
Lu, Jun (författare)
Jensen, Jens (författare)
Hultman, Lars (författare)
Eklund, Per (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
American Institute of Physics (AIP) 2011
Engelska.
Ingår i: Journal of Applied Physics. - 0021-8979. ; 110:5
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Phase-pure epitaxial thin films of (Ti,V)(2)GeC have been grown onto Al(2)O(3)(0001) substrates via magnetron sputtering. The c lattice parameter is determined to be 12.59 A, corresponding to a 50/50 Ti/V solid solution according to Vegards law, and the overall (Ti,V): Ge: C composition is 2:1:1 as determined by elastic recoil detection analysis. The minimum temperature for the growth of (Ti,V)(2)GeC is 700 degrees C, which is the same as for Ti(2)GeC but higher than that required for V(2)GeC (450 degrees C). Reduced Ge content yields films containing (Ti,V)(3)GeC(2) and (Ti,V)(4)GeC(3). These results show that the previously unknown phases V(3)GeC(2) and V(4)GeC(3) can be stabilized through alloying with Ti. For films grown on 4H-SiC(0001), (Ti,V)(3)GeC(2) was observed as the dominant phase, showing that the nucleation and growth of (Ti,V)(n+1)GeC(n) is affected by the choice of substrate; the proposed underlying physical mechanism is that differences in the local substrate temperature enhance surface diffusion and facilitate the growth of the higher-order phase (Ti,V)(3)GeC(2) compared to (Ti,V)(2)GeC. 

Ämnesord

Engineering and Technology  (hsv)
Teknik och teknologier  (hsv)
TECHNOLOGY  (svep)
TEKNIKVETENSKAP  (svep)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy