Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22093383 > beta-Ta and alpha-C...

beta-Ta and alpha-Cr thin films deposited by high power impulse magnetron sputtering and direct current magnetron sputtering in hydrogen containing plasmas [Elektronisk resurs]

Högberg, Hans (författare)
Tengdelius, Lina (författare)
Samuelsson, Mattias (författare)
Jensen, Jens (författare)
Hultman, Lars (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Elsevier 2014
Engelska.
Ingår i: Physica. B, Condensed matter. - 0921-4526. ; 439, 3-8
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Thin films of beta-Ta and alpha-Cr were deposited on Si(1 0 0) and 1000 angstrom SiO2/Si(1 0 0), by high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) and direct current magnetron sputtering (dcMS) in hydrogen-containing plasmas. The films were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray diffraction, scanning electron microscopy, elastic recoil detection analysis, and four-point probe measurements. The results showed that 001-oriented beta-Ta films containing up to similar to 8 at% hydrogen were obtained with HiPIMS, albeit with no chemical shift evident in XPS. The 110 oriented alpha-Cr films display a hydrogen content less than the detection limit of 1 at%, but H-2 favors the growth of high-purity films for both metals. The beta-Ta films deposited with dcMS are columnar, which seems independent of H-2 presence in the plasma, while the films grown by HIPIMS are more fine-grained. The latter type of microstructure was present for the alpha-Cr films and found to be independent on choice of technique or hydrogen in the plasma. The beta-Ta films show a resistivity of similar to 140-180 mu Omega cm, while alpha-Cr films exhibit values around 30 mu Omega cm; the lowest values obtained for films deposited by HiPIMS and with hydrogen in the plasma for both metals. 

Ämnesord

Engineering and Technology  (hsv)
Teknik och teknologier  (hsv)
TECHNOLOGY  (svep)
TEKNIKVETENSKAP  (svep)

Indexterm och SAB-rubrik

Hydrides; Thin films; beta-Ta; alpha-Cr; High power impulse magnetron sputtering; Direct current magnetron sputtering
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy