Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22083782 > Thermal stability o...

Thermal stability of Al 1− x In x N (0 0 0 1) throughout the compositional range as investigated during in situ thermal annealing in a scanning transmission electron microscope [Elektronisk resurs]

Palisaitis, Justinas (författare)
Hsiao, Ching-Lien (författare)
Hultman, Lars (författare)
Birch, Jens (författare)
Persson, Per 1971- (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Elsevier 2013
Engelska.
Ingår i: Acta Materialia. - 1359-6454. ; 61:12, 4683-4688
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • The thermal stability of Al 1− x In x N (0 ⩽  x  ⩽ 1) layers was investigated by scanning transmission electron microscopy (STEM) imaging, electron diffraction, and monochromated valence electron energy loss spectroscopy during in situ annealing from 750 to 950 °C. The results show two distinct decomposition paths for the layers richest in In (Al 0.28 In 0.72 N and Al 0.41 In 0.59 N) that independently lead to transformation of the layers into an In-deficient, nanocrystalline and a porous structure. The In-richest layer (Al 0.28 In 0.72 N) decomposes at 750 °C, where the decomposition process is initiated by In forming at grain boundaries and is characterized by an activation energy of 0.62 eV. The loss of In from the Al 0.41 In 0.59 N layer was initiated at 800 °C through continuous desorption. No In clusters were observed during this decomposition process, which is characterized by an activation energy of 1.95 eV. Finally, layers richest in Al (Al 0.82 In 0.18 N and Al 0.71 In 0.29 N) were found to resist thermal annealing, although the initial stages of decomposition were observed for the Al 0.71 In 0.29 N layer. 

Ämnesord

Natural Sciences  (hsv)
Naturvetenskap  (hsv)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy