Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22083497 > Ti 3 SiC 2 -formati...

Ti 3 SiC 2 -formation during Ti–C–Si multilayer deposition by magnetron sputtering at 650 °C [Elektronisk resurs]

Vishnyakov, V (författare)
Lu, Jun (författare)
Eklund, Per (författare)
Hultman, Lars (författare)
Colligon, J (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Elsevier 2013
Engelska.
Ingår i: Vacuum. - 0042-207X. ; 93, 56-59
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Titanium Silicon Carbide films were deposited from three separate magnetrons with elemental targets onto Si wafer substrates. The substrate was moved in a circular motion such that the substrate faces each magnetron in turn and only one atomic species (Ti, Si or C) is deposited at a time. This allows layer-by-layer film deposition. Material average composition was determined to Ti 0.47 Si 0.14 C 0.39 by energy-dispersive X-ray spectroscopy. High-resolution transmission electron microscopy and Raman spectroscopy were used to gain insights into thin film atomic structure arrangements. Using this new deposition technique formation of Ti 3 SiC 2 MAX phase was obtained at a deposition temperature of 650 °C, while at lower temperatures only silicides and carbides are formed. Significant sharpening of Raman E 2g and A g peaks associated with Ti 3 SiC 2 formation was observed. 

Ämnesord

Engineering and Technology  (hsv)
Teknik och teknologier  (hsv)
TECHNOLOGY  (svep)
TEKNIKVETENSKAP  (svep)

Indexterm och SAB-rubrik

MAX phase
Titanium silicon carbide
Nano-laminate
Physical vapour deposition
Raman microscopy
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy