Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:22082564 > Nanoprobe Mechanica...

Nanoprobe Mechanical and Piezoelectric Characterization of Sc x Al 1-x N(0001) Thin Films [Elektronisk resurs]

Zukauskaite, Agne (författare)
Broitman, Esteban (författare)
Sandström, Per (författare)
Hultman, Lars (författare)
Birch, Jens (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
John Wiley & Sons 2015
Engelska.
Ingår i: Physica Status Solidi (a) applications and materials science. - 1862-6300. ; 212:3, 666-673
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Nanoindentation with in-situ electrical characterization was used to characterize piezoelectric scandium aluminum nitride (Sc x Al 1-x N) thin films with Sc contents up to x=0.3. The films were prepared by reactive magnetron sputtering using Al 2 O3 substrates with TiN seed layer/bottom electrodes at a substrate temperature of 400 °C. X-ray diffraction shows c-axis oriented wurtzite Sc x Al 1-x N, where the crystal quality decreases with increasing x. Piezoresponse force microscopy in mapping mode shows a single piezoelectric polarization phase in all samples. The hardness and decreases from 17 GPa in AlN to 11 GPa in Sc0.3Al0.7N, while reduced elastic modulus decreases from 265 GPa to 224 GPa, respectively. Both direct and converse piezoelectric measurements are demonstrated by first applying the load and generating the voltage and later by applying the voltage and measuring film displacement using a conductive boron doped nanoindenter tip. The Sc0.2Al0.8N films exhibit an increase in generated voltage by 15% in comparison to AlN and a correspondingly larger displacement upon applied voltage, comparable to results obtained by double beam interferometry and piezoresponse force microscopy.   

Ämnesord

Natural Sciences  (hsv)
Physical Sciences  (hsv)
Naturvetenskap  (hsv)
Fysik  (hsv)
NATURAL SCIENCES  (svep)
Physics  (svep)
NATURVETENSKAP  (svep)
Fysik  (svep)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy