Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:21872448 > Oxygen incorporatio...

Oxygen incorporation in Ti 2 AlC thin films studied by electron energy loss spectroscopy and ab initio calculations [Elektronisk resurs]

Mockuté, Aurelija (författare)
Dahlqvist, Martin (författare)
Hultman, Lars (författare)
O A Persson, Per (författare)
Rosén, Johanna (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska högskolan (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Tekniska fakulteten
Alternativt namn: Linköpings tekniska högskola
Alternativt namn: Tekniska högskolan vid Linköpings universtiet
Alternativt namn: LiTH
Alternativt namn: Linköping University. Institute of Technology
Se även: Universitet i Linköping Tekniska högskolan
Springer Verlag (Germany) 2013
Engelska.
Ingår i: Journal of Materials Science. - 0022-2461. ; 48:10, 3686-3691
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Substitution of C with O in hexagonal inherently nanolaminated Ti 2 AlC has been studied experimentally and theoretically. Ti 2 Al(C 1− x O x ) thin films with x  ≤ 0.52 are synthesized by both cathodic arc deposition with the uptake of residual gas O, and solid-state reaction between understoichiometric TiC y and Al 2 O 3 (0001) substrates. The compositional analysis is made by analytical transmission electron microscopy, including electron energy loss spectroscopy. Furthermore, predictive ab initio calculations are performed to evaluate the influence of substitutional O on the shear stress at different strains for slip on the (0001) basal plane in the [−1010] and [1−210] directions. 

Ämnesord

Engineering and Technology  (hsv)
Teknik och teknologier  (hsv)
TECHNOLOGY  (svep)
TEKNIKVETENSKAP  (svep)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy