Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:20161492 > Sputter-cleaned Epi...

Sputter-cleaned Epitaxial V x Mo (1-x) N y /MgO(001) Thin Films Analyzed by X-ray Photoelectron Spectroscopy: 2. Single-crystal V 0.47 Mo 0.53 N 0.92 [Elektronisk resurs]

Greczynski, Grzegorz 1973- (författare)
Kindlund, Hanna (författare)
Petrov, Ivan (författare)
Greene, Joseph E (författare)
Hultman, Lars (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska fakulteten (utgivare)
Thin Film Physics (medarbetare)
Thin Film Physics (medarbetare)
Thin Film Physics (medarbetare)
2013
Engelska.
Ingår i: Surface Science Spectra. - 1055-5269. ; 20, 74-79
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Epitaxial Vx Mo (1-x)Ny thin films grown by ultrahigh vacuum reactive magnetron sputter deposition on MgO(001) substrates are analyzed by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). This contribution presents analytical results for 300-nm-thick single-crystal V0.47 Mo 0.53N0.92/MgO(001) films deposited by reactive cosputtering from V (99.95% purity) and Mo (99.95% purity) targets. Film growth is carried out in a UHV chamber with base pressure 2 × 10 −9 Torr at 700 °C in mixed Ar/N2 atmospheres at a total pressure of 5 mTorr, with a N2 partial pressure of 3.2 mTorr; a bias of −30 V is applied to the substrate. Films composition is determined by Rutherford backscattering spectrometry (RBS). XPS measurements employ monochromatic Al K α radiation (hν = 1486.6 eV) to analyze V0.47 Mo 0.53N0.92(001) surfaces sputter-cleaned in-situ with 4 keV Ar + ions incident at an angle of 70° with respect to the surface normal. XPS results show that the ion-etched sample surfaces have no measurable oxygen or carbon contamination; film composition, obtained using XPS sensitivity factors, is V0.34 Mo 0.66N0.81. All core level peaks, including the nearby Mo 3p3/2 (binding energy of 394.1 eV) and N 1s (at 397.5 eV) peaks, are well-resolved. Comparison to the V0.48 Mo 0.52N0.64 single-crystal film, submitted separately to Surface Science Spectra, indicates that with decreasing growth temperature from 900 to 700 °C (and increasing nitrogen concentration in Vx Mo (1-x)Ny from y = 0.64 to 0.81) the N 1s core level peak shifts towards lower binding energy by 0.1 eV while all metal atom peaks move in the opposite direction by the same amount. 

Ämnesord

Natural Sciences  (hsv)
Physical Sciences  (hsv)
Condensed Matter Physics  (hsv)
Naturvetenskap  (hsv)
Fysik  (hsv)
Den kondenserade materiens fysik  (hsv)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy