Startsida
Hjälp
Sök i LIBRIS databas

     

 

Sökning: onr:20161465 > Sputter-cleaned Epi...

Sputter-cleaned Epitaxial V x Mo (1-x) N y /MgO(001)Thin Films Analyzed by X-ray PhotoelectronSpectroscopy: 3. Polycrystalline V 0.49 Mo 0.51 N 1.02 [Elektronisk resurs]

Greczynski, Grzegorz 1973- (författare)
Kindlund, Hanna (författare)
Petrov, Ivan (författare)
Greene, Joseph E (författare)
Hultman, Lars (författare)
Linköpings universitet Institutionen för fysik, kemi och biologi (utgivare)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik (tidigare namn)
Alternativt namn: Linköpings universitet. Institutionen för fysik och mätteknik, biologi och kemi (tidigare namn)
Alternativt namn: IFM
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics and Measurement Technology, Biology and Chemistry
Alternativt namn: Engelska : Department of Physics, Chemistry and Biology
Linköpings universitet Tekniska fakulteten (utgivare)
Thin Film Physics (medarbetare)
Thin Film Physics (medarbetare)
Thin Film Physics (medarbetare)
2013
Engelska.
Ingår i: Surface Science Spectra. - 1055-5269. ; 20, 80-85
Läs hela texten
Läs hela texten
Läs hela texten
  • E-artikel/E-kapitel
Sammanfattning Ämnesord
Stäng  
  • Vx Mo (1-x)Ny thin films grown by ultrahigh vacuum reactive magnetron sputter deposition on MgO(001) substrates are analyzed by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). This contribution presents analytical results for 300-nm-thick 002-textured polycrystalline V0.49 Mo 0.51N1.02 films deposited by reactive cosputtering from V (99.95 % purity) and Mo (99.95 % purity) targets. Film growth is carried out at 500 °C in mixed Ar/N2 atmospheres at a total pressure of 5 mTorr, with a N2 partial pressure of 3.2 mTorr; a bias of −30 V is applied to the substrate. Films composition is determined by Rutherford backscattering spectrometry (RBS). XPS measurements employ monochromatic Al K α radiation (hν = 1486.6 eV) to analyze V0.49 Mo 0.51N1.02 surface sputter-cleaned in-situ with 4 keV Ar + ions incident at an angle of 70° with respect to the surface normal. XPS results show that the ion-etched sample surfaces have no measurable oxygen or carbon contamination; film composition, obtained using XPS sensitivity factors, is V0.34 Mo 0.66N1.00. All core level peaks, including the nearby Mo 3p3/2 (binding energy of 394.3 eV) and N 1s (at 397.4 eV) peaks, are well-resolved. Comparison to V0.33 Mo 0.67N0.64 and V0.34 Mo 0.66N0.81 single-crystal film surfaces, submitted separately to Surface Science Spectra, indicates that with decreasing growth temperature from 900 to 700 and 500 °C (and increasing nitrogen concentration in Vx Mo (1-x)Ny from y = 0.64 to 0.81 and 1.00) the N 1s core level peak shifts from 397.6 eV to 397.5 eV to 397.4 eV while metal atom peaks move towards higher binding energy by 0.2-0.4 eV. 

Ämnesord

Natural Sciences  (hsv)
Physical Sciences  (hsv)
Condensed Matter Physics  (hsv)
Naturvetenskap  (hsv)
Fysik  (hsv)
Den kondenserade materiens fysik  (hsv)
Inställningar Hjälp

Beståndsinformation saknas

Om LIBRIS
Sekretess
Blogg
Hjälp
Fel i posten?
Kontakt
Teknik och format
Sök utifrån
Sökrutor
Plug-ins
Bookmarklet
Anpassa
Textstorlek
Kontrast
Vyer
LIBRIS söktjänster
SwePub
Sondera
Uppsök

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy